Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD31CQ-13
TRANS NPN 100V 3A DPAK
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD31CQ
MJD31CQ-13 Hakkında
MJD31CQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzeye monte paketinde sunulmaktadır. 100V maksimum kolektör-emiter gerilimi ve 3A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 15W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 3MHz transition frekansı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında işletilir. Düşük doyum gerilimi (1.2V @ 375mA, 3A) nedeniyle anahtarlama verimliliği yüksektir. Otomotiv, endüstriyel kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 15 W |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok