Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD31CITU
POWER BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Seri / Aile Numarası
- MJD31C
MJD31CITU Hakkında
MJD31CITU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bir güç bipolar transistörüdür. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol uygulamaları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Maksimum 3A kolektör akımı, 100V VCEO (Collector-Emitter Breakdown Voltage) ve 1.56W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklı olup, 3MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 10 @ 3A, 4V minimum DC akım kazancı (hFE) ile kararlı bir amplifikasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok