Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD31CG

TRANS NPN 100V 3A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD31CG

MJD31CG Hakkında

MJD31CG, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir ve maksimum 3A collector akımına kadar destekler. 1.56W güç dağıtımı kapasitesiyle, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç yönetimi sistemlerinde ve endüstriyel kontrol elektroniklerinde kullanılır. -65°C ile 150°C arasında geniş işletme sıcaklık aralığında çalışabilen MJD31CG, 3MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. TO-252-3 paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition 3MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.56 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok