Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD31CEITU
POWER BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD31CE
MJD31CEITU Hakkında
MJD31CEITU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi güç bipolar transistörüdür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 3A kolektör akımı ve 100V kırılma voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.56W maksimum güç yayılım kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, anahtar devreler, darbe amplifikatörleri ve motor kontrol devreleri gibi alanlarda tercih edilir. 3MHz geçiş frekansı orta hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Kütük ve kompakt tasarımı sayesinde PCB alanı tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok