Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD31C1G
TRANS NPN 100V 3A IPAK
MJD31C1G Hakkında
MJD31C1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100V kolektör-emiter gerilimi ve 3A kolektör akımına dayanabilir. 1.56W güç tüketim kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. Doyum gerilimi 1.2V olup, 10 minimum DC akım kazancı (hFE) özelliği taşır. -65°C ile +150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Motor kontrol, anahtarlama devreleri, amplifikatör tasarımı ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok