Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD31C1

TRANS NPN 100V 3A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
MJD31C1

MJD31C1 Hakkında

MJD31C1, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, 100V collector-emitter gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile çalışır. 1.56W güç sınırlaması içinde orta güç uygulamalarında kullanılır. 10 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç anahtarlaması ve amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -65°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direk lehimleme yapılır. Bileşen statüsü discontinued olup, yeni tasarımlarda alternatif çözümler önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition 3MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power - Max 1.56 W
Supplier Device Package I-PAK
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok