Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD31C-13
TRANS NPN 100V 3A DPAK
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD31C
MJD31C-13 Hakkında
MJD31C-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile sunulan bu transistör, 100V maksimum Vce breakdown voltajı ve 3A maksimum kolektör akımı özellikleriyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.56W maksimum güç dağıtma kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yer alabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bileşen, 3MHz transition frequency değeriyle hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.56 W |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok