Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD3055T4G
TRANS NPN 60V 10A DPAK
MJD3055T4G Hakkında
MJD3055T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım NPN bipolar transistörüdür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 10A collector akımı ve 60V breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. 1.75W güç yeteneğine sahip olan transistör, DC akım kazancı 20 (4A, 4V'de) ve 2MHz geçiş frekansı ile çalışır. Geniş -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve RF amplifikasyon gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
| Frequency - Transition | 2MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok