Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD3055G

TRANS NPN 60V 10A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD3055

MJD3055G Hakkında

MJD3055G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım NPN bipolar jonksiyon transistörüdür. TO-252 (DPAK) yüzey montajlı paketinde sunulur. 60V kolektör-emitör gerilimi ve 10A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.75W güç dağıtım kapasitesi ile motor kontrol, anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 10 A
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition 2MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 1.75 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok