Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD253-1G
TRANS PNP 100V 4A IPAK
MJD253-1G Hakkında
MJD253-1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251 (I-PAK) paketinde sunulan bu transistör, 100V kollektör-emitter gerilimi ve 4A maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 40MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. 1.4W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile motor kontrol, güç yönetimi, aydınlatma uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yer alır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 150°C) nedeniyle endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 200mA, 1V |
| Frequency - Transition | 40MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.4 W |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok