Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD243T4G

TRANS NPN 100V 4A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD243

MJD243T4G Hakkında

MJD243T4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100V maksimum collector-emitter gerilimi ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 40MHz transition frequency ve 1.4W maksimum güç derecelendirmesi ile motor sürücüleri, anahtarlama devreler ve ses amplifikatörü gibi uygulamalarda tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 600mV maksimum Vce(sat) değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunmakta, 40 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition 40MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.4 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok