Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD210T4G

TRANS PNP 25V 5A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD210

MJD210T4G Hakkında

MJD210T4G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 25V maksimum Vce derecelendirmesi ve 5A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.4W maksimum güç tüketimi ile ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. 65MHz transition frequency ile DC ve düşük frekans uygulamalarına uygundur. -65°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ve 1.8V maksimum Vce(sat) değeri ile verimli anahtar işlevi gerçekleştirmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition 65MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.4 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok