Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD200T5G
TRANS NPN 25V 5A DPAK
MJD200T5G Hakkında
MJD200T5G, onsemi tarafından üretilen NPN türü bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) paket tipinde sunulan bu transistör, 25V kolektör-emiter gerilimi ve 5A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.4W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahip olan MJD200T5G, 65MHz transition frequency ve minimum 45 DC current gain (2A, 1V'de) özellikleriyle karakterizedir. 1.8V saturation voltajı (1A base akımı, 5A kolektör akımında) ile tasarlanmıştır. -65°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç amplifikasyonu, anahtar uygulamaları ve DC kontrol devrelerinde tercih edilir. Yüzey montaj teknolojisi ile PCB entegrasyonu sağlar. Ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
| Frequency - Transition | 65MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok