Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD200T4G
TRANS NPN 25V 5A DPAK
MJD200T4G Hakkında
MJD200T4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup Surface Mount teknolojisi ile DPAK (TO-252-3) paketinde sunulmaktadır. 25V Vce(max) ve 5A Ic(max) ile orta güç uygulamalarında kullanılan bu transistör, 1.4W maksimum güç tüketim yeteneğine ve 65MHz transition frequency'ye sahiptir. DC akım kazancı 2A/1V koşullarında minimum 45 değerini gösterir. -65°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 1.8V Vce(sat) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
| Frequency - Transition | 65MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.4 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok