Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD200G
TRANS NPN 25V 5A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD200G
MJD200G Hakkında
MJD200G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 25V kolektör-emitter kırılma gerilimi ve 5A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.4W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile DC ve anahtarlama devrelerinde, darbe amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 65MHz transition frequency ve 45 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -65°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel uygulamalarda güvenilir performans sağlar. Yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren modern PCB tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
| Frequency - Transition | 65MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.4 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok