Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD200

TRANS NPN 25V 5A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD200

MJD200 Hakkında

MJD200, onsemi tarafından üretilen NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketine sahip bu transistör, 25V maksimum collector-emitter voltajında 5A akım kapasitesine sahiptir. 1.4W maksimum güç tüketimiyle, anahtarlama ve güç amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 65MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalara uygundur. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-65°C ~ 150°C) güvenilir performans sunar. DC current gain (hFE) minimum 45 değeriyle, kontrollü amplifikasyon gerektiren devreler için uygun bir seçimdir. Lojik seviye sürücüleri, darbe kuvvetlendirme, küçük motor kontrolü gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition 65MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 1.4 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok