Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD122T4G
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
MJD122T4G Hakkında
MJD122T4G, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım işleme kapasitesi ve yüksek akım kazancı ile karakterizedir. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 8A collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 1000 minimum DC current gain (hFE) değeri ile düşük base akımında yüksek collector akımı sağlar. Motor kontrol, solenoid sürücüleri, röle kontrolü ve güç anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli işlem yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
| Frequency - Transition | 4MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok