Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD122G

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD122G

MJD122G Hakkında

MJD122G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. 100V kolektör-emitter gerilimi ve 8A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 20W güç kapasitesine sahiptir. 1000 minimum DC akım kazancı (hFE) ile sürücü uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, elektromanyetik röleler ve solenoid kontrol sistemlerinde kullanılır. -65°C ile 150°C arasında çalışabilmesi endüstriyel uygulamalarda tercih edilmesini sağlar. Darlington yapısı sayesinde yüksek akım kazancı ve düşük giriş akımı gereksinimiyle güç yönetimi uygulamalarında verimli çözüm sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition 4MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 20 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok