Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD122-1G

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD122

MJD122-1G Hakkında

MJD122-1G, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistördür. 100V collector-emitter gerilim ve 8A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket içinde sunulur. 1000'in üzerinde DC akım kazancı ve 4MHz transition frekansıyla kontrol devreleri, motor sürücüleri ve aydınlatma uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition 4MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.75 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok