Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD122-1

TRANS NPN DARL 100V 8A TO251

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
MJD122

MJD122-1 Hakkında

MJD122-1, STMicroelectronics tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 100V kolektör-emiter gerilimi ve 8A maksimum kolektör akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 1000 minimum DC akım kazancı (hFE) ile düşük baz akımında yüksek kolektör akımı sağlar. 20W güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 4V maksimum doyum gerilimi ile verimli anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 4A, 4V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power - Max 20 W
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok