Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD117T4G
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
MJD117T4G Hakkında
MJD117T4G, onsemi tarafından üretilen PNP Darlington transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100V kolektör-emiter bozulma voltajı ve 2A maksimum kolektör akımı ile çalışır. 1000 minimum DC akım kazancı (hFE) sayesinde düşük baz akımları ile yüksek kolektör akımlarını kontrol edebilir. 25MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 1.75W güç yayınlaması ile sınırlı ısıl tasarımlar için uygun bir seçenektir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 150°C) endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Darlington yapısı nedeniyle düşük On-state voltaj düşüşü ile enerji verimliliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Frequency - Transition | 25MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok