Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD117-1G
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
MJD117-1G Hakkında
MJD117-1G, onsemi tarafından üretilen PNP Darlington transistörüdür. 100V kolektör-emitter gerilimi ve 2A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. TO-251 (I-PAK) paketinde sunulan bu komponent, yüksek akım kazancı (hFE min: 1000 @ 2A, 3V) ile özellikle güç kuvvetlendirme uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile +150°C arasında çalışır ve 1.75W güç tüketebilir. Düşük saturasyon gerilimi karakteristiği ile anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, motor sürücüleri, solenoid kontrol ve röle sürücülerine uygun bir çözümdür. TTL/CMOS çıkışlarından doğrudan tahrik edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Frequency - Transition | 25MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok