Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD112TF
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD112
MJD112TF Hakkında
MJD112TF, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek kazançlı NPN Darlington transistörüdür. 2A collector akımı ve 100V kırılma voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1000 minimum DC akım kazancı (hFE) sayesinde düşük base akımı ile yüksek collector akımı kontrolü sağlar. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol devreleri, röle sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 25MHz transition frequency ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalara uygundur. 1.75W maksimum güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Frequency - Transition | 25MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok