Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD112T4G
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
MJD112T4G Hakkında
MJD112T4G, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 100V kırılma gerilimi ve 2A maksimum collector akımı ile çalışmaktadır. 1000 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 3V saturasyon gerilimi ile güç uygulamalarında kullanılır. 20W maksimum güç yayılımı kapasitesi bulunmaktadır. -65°C ile 150°C arasında çalışabilir. 25MHz transition frekansı ile anahtarlama devrelerinde, güç kontrolü uygulamalarında ve endüstriyel kontrol sistemlerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Frequency - Transition | 25MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok