Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD112T4
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD112
MJD112T4 Hakkında
MJD112T4, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek akım kazançlı NPN Darlington transistörüdür. TO-252 (DPAK) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, maksimum 2A kolektör akımı ve 100V kesintisiz emitör-kolektör gerilimi ile tasarlanmıştır. 1000 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 20W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. Düşük saturasyon gerilimi (3V @ 4A) sağlayan bu transistör, motor kontrol, röle sürücüsü, led uygulamaları ve güç anahtarlama devrelerinde yer alır. 25MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Frequency - Transition | 25MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok