Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJD112RLG

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
MJD112

MJD112RLG Hakkında

MJD112RLG, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. 100V kolek-emiter breakdown voltajı ve 2A maksimum kolektör akımıyla tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 1000'lik DC akım kazancı (hFE) ile düşük sürücü akımı gerektiren uygulamalara uygun hale getirilmiştir. 25MHz transition frequency ile sürücü, aydınlatma kontrolü, motor kontrol ve endüstriyel otomasyon devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. -65°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir çalışma sağlar. Maksimum 1.75W güç tüketimi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition 25MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 1.75 W
Supplier Device Package DPAK
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok