Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD112RL
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
MJD112RL Hakkında
MJD112RL, onsemi tarafından üretilen surface mount NPN Darlington transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 2A maksimum collector akımı ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1000 minimum DC current gain (hFE) değeri ile düşük base akımı gereksinimleri sunar. Frequency-transition değeri 25MHz olan bu transistör, motor sürücüleri, röle kontrol devreleri, power switching uygulamaları ve genel amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. -65°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 1.75W güç dissipasyonuna dayanır. Darlington konfigürasyonu nedeniyle yüksek akım kazancı ve düşük base-emitter voltajı özellikleri mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Frequency - Transition | 25MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok