Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD112G
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- MJD112G
MJD112G Hakkında
MJD112G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100V collector-emitter voltajı ve 2A collector akımı ile çalışabilir. 1000'in üzerinde DC akım kazancı (hFE) ve 25MHz geçiş frekansı özelliğiyle sahiptir. 1.75W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olan MJD112G, -65°C ile 150°C arasında sıcaklıkta çalışabilir. Düşük saturasyon voltajı ve yüksek akım kazancı nedeniyle anahtar devreler, motor kontrol uygulamaları, güç yönetimi ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Darlington yapısı sayesinde düşük base akımı ile yüksek collector akımlarını kontrol etme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Frequency - Transition | 25MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok