Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD112-1G
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
MJD112-1G Hakkında
MJD112-1G, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1000'lik minimum DC current gain (hFE) sayesinde düşük base akımında yüksek collector akımı sağlar. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, röle sürücüleri, solenoid uygulamaları ve güç anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. -65°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.75W güç yayma kapasitesine sahiptir. Darlington yapısı nedeniyle daha düşük base-emitter açılış voltajı gerektirir, bu da kontrol devrelerini basitleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Frequency - Transition | 25MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok