Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJD112-001
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Seri / Aile Numarası
- MJD112
MJD112-001 Hakkında
MJD112-001, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. 100V kollektör-emiter gerilimi, 2A maksimum kollektör akımı ve 1.75W güç disipasyonuna sahiptir. 1000 (minimum) DC akım kazancı ile düşük akım uygulamalarında sürücü transistör olarak kullanılır. TO-251 (IPak) paketindeki through-hole montaj yapısı, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrol devrelerinde yer bulur. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, relay, solenoid ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Frequency - Transition | 25MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok