Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJ802G
TRANS NPN 90V 30A TO3
MJ802G Hakkında
MJ802G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-3 paketinde sunulan bu komponent, 90V collector-emitter breakdown voltajı ve 30A maksimum collector akımı ile 200W güç yönetebilir. DC akım kazancı (hFE) 7.5A ve 2V'de 25'tir. 2MHz transition frequency ile anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Geniş işletme sıcaklığı aralığı (-65°C ile 200°C arası), güç amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. 750mA taban akımında 800mV saturasyon voltajı ile verimli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 7.5A, 2V |
| Frequency - Transition | 2MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 W |
| Supplier Device Package | TO-204 (TO-3) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 750mA, 7.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 90 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok