Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJ802

T-NPN SI- AF AMP

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
MJ802

MJ802 Hakkında

MJ802, NTE Electronics tarafından üretilen silikon NPN bipolar junction transistörlü (BJT) bir bileşendir. Maksimum 30A collector akımı, 200W güç kapasitesi ve 90V collector-emitter breakdown voltajı ile audio amplifier ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-3 (TO-204AA) paketinde sunulan bu transistör, 2MHz transition frequency ve 25 (7.5A, 2V'de) minimum DC current gain özellikleri ile donatılmıştır. Vce saturation voltajı 800mV'tur. Through-hole montajı destekleyen MJ802, endüstriyel ve tüketici elektronikleri alanında yaygın olarak tercih edilen bir güç transistörüdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 30 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition 2MHz
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-204AA, TO-3
Part Status Active
Power - Max 200 W
Supplier Device Package TO-204 (TO-3)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 750mA, 7.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 90 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok