Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJ10023

T-NPN SI- HIV SW DARL

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
MJ10023

MJ10023 Hakkında

MJ10023, NTE Electronics tarafından üretilen NPN Darlington transistördür. Silicon tabanlı bu bileşen, yüksek collector akımı kapasitesi (40A max) ve 250W güç derecelendirmesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-3 metal pakajında sunulan transistör, -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında işlem görebilir. 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 60 minimum DC current gain (10A, 5V'te) özellikleri ile motorlar, solenoidler, yüksek akımlı anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 40 A
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10A, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Part Status Active
Power - Max 250 W
Supplier Device Package TO-3
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 5V @ 5A, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok