Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJ10016

T-NPN SI- PO HIV DARL

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
MJ10016

MJ10016 Hakkında

MJ10016, NTE Electronics tarafından üretilen silikon NPN Darlington transistörüdür. TO-3 paketinde sunulan bu bileşen, 50A'ye kadar kolektör akımı ve 250W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 500V kolektör-emitter breakdown voltajı ve -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv elektronikleri gibi yüksek sıcaklık ortamlarında kullanıma uygundur. Darlington konfigürasyonu nedeniyle düşük giriş akımı ile yüksek akım kazancı sağlar. Audio amplifikatörleri, motor sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 20A, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Part Status Active
Power - Max 250 W
Supplier Device Package TO-3
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 5V @ 10A, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok