Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJ10015

T-NPN SI- PO HIV DARL

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
MJ10015

MJ10015 Hakkında

MJ10015, NTE Electronics tarafından üretilen yüksek akım NPN Darlington transistörüdür. TO-3 paketinde sunulan bu bileşen, 50A maksimum collector akımı ve 250W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 400V collector-emitter breakdown voltajı ile endüstriyel ve ses amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. -65°C ile 200°C arasında çalışan bu transistör, düşük histerez ve stabil performans özellikleri nedeniyle motor sürücüleri, güç kaynakları ve ses amplifikatörlerinde yaygın olarak uygulanır. Darlington yapısı sayesinde düşük base akımı ile yüksek collector akımının kontrolü mümkündür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 20A, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Part Status Active
Power - Max 250 W
Supplier Device Package TO-3
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 5V @ 10A, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok