Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MJ10012
T-NPN SI- PO DARL SW
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-204AA
- Seri / Aile Numarası
- MJ10012
MJ10012 Hakkında
MJ10012, NTE Electronics tarafından üretilen, silikon tabanlı NPN Darlington transistörüdür. TO-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek akım ve güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10A maksimum kolektör akımı ve 175W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile güç amplifikasyonu, motor kontrol, endüstriyel sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 300'lük minimum DC akım kazancı (hFE) sayesinde düşük baz akımı gereksinimleri ile çalışabilir. 400V kolektör-emitter breakdown voltajı ile orta voltaj uygulamalarına uygundur. -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olan bu transistör, endüstriyel ortamlarda kullanım için özel olarak geliştirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 3A, 6V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 175 W |
| Supplier Device Package | TO-3 |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 2A, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok