Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MJ10009

T-NPN SI- PO DARL SW

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
MJ10009

MJ10009 Hakkında

MJ10009, NTE Electronics tarafından üretilen silisyum NPN Darlington transistörüdür. TO-204AA (TO-3) paketinde sunulan bu bileşen, 20A maksimum kollektör akımı ve 175W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 500V kollektör-emitter breakdown voltajı sayesinde endüstriyel kontrol devreleri, güç anahtarlaması, motor sürücüleri ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -65°C ile 200°C arasında çalışan bu transistör, 3.5V doyum voltajı ve minimum 40 DC akım kazancı özellikleriyle güvenilir anahtarlama performansı sağlar. Through-hole montajı ile kolay entegrasyon imkanı sunan MJ10009, yüksek akım gereksinimi olan elektronik sistemlerde yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 5A, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Part Status Active
Power - Max 175 W
Supplier Device Package TO-3
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 2A, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok