Transistörler - FET, MOSFET - RF
MHT1108NT1
RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 16-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MHT1108
MHT1108NT1 Hakkında
MHT1108NT1, NXP Semiconductors tarafından üretilen RF güç LDMOS transistörüdür. 2.45GHz frekansında çalışan bu bileşen, 12.5W çıkış gücü ve 18.6dB kazanç sağlar. 32V test gerilimi ve 65V nominal gerilim ile tasarlanmış olup, 110mA test akımında çalışır. 16-VDFN (4x6mm) paket içerisinde sunulan transistör, ISM band uygulamaları, WiFi, Bluetooth ve endüstriyel RF sistemlerinde kullanılmaya uygun tasarımlanmıştır. Marjinal yüksek frekans performansı ve entegre güç yönetimi özellikleriyle RF power amplifier tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 110 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 2.45GHz |
| Gain | 18.6dB |
| Package / Case | 16-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 12.5W |
| Supplier Device Package | 16-DFN (4x6) |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok