Transistörler - FET, MOSFET - RF
MHT1006NT1
FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- PLD-1.5W
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MHT1006NT1
MHT1006NT1 Hakkında
MHT1006NT1, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS tabanlı RF FET transistördür. 2.17GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 65V nominal gerilimdeki uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.26W çıkış gücü ve 21.7dB kazanç (gain) özellikleri ile RF güç amplifikasyonu gerektiren uygulamalarda yer alır. 28V test gerilimi altında 90mA test akımı ile karakterize edilmiştir. PLD-1.5W paket tipi ile sunulan bileşen, Son Satın Alma (Last Time Buy) durumunda olup, RF haberleşme sistemleri, broadcasting ve endüstriyel RF uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 90 mA |
| Frequency | 2.17GHz |
| Gain | 21.7dB |
| Package / Case | PLD-1.5W |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 1.26W |
| Supplier Device Package | PLD-1.5W |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok