Transistörler - FET, MOSFET - RF

MHT1004NR3

RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450

Paket/Kılıf
OM-780-2
Seri / Aile Numarası
MHT1004NR

MHT1004NR3 Hakkında

MHT1004NR3, NXP Semiconductors tarafından üretilen RF güç LDMOS transistörüdür. 2.45 GHz frekansında çalışmak üzere tasarlanmış bu bileşen, 280W çıkış gücü ve 15.2 dB kazanç sağlar. 65V nominal gerilim ile çalışan transistör, OM-780-2 paketinde sunulmaktadır. Kablosuz iletişim sistemleri, endüstriyel RF uygulamaları ve yüksek frekanslı güç amplifikatörlerinde kullanılan bu transistör, 100mA test akımında 32V geriliimde karakterize edilmiştir. LDMOS teknolojisi sayesinde iyi termal ve elektrik karakteristikleri sunmaktadır. Ürün günümüzde obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 100 mA
Current Rating (Amps) 10µA
Frequency 2.45GHz
Gain 15.2dB
Package / Case OM-780-2
Part Status Obsolete
Power - Output 280W
Supplier Device Package OM-780-2
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 32 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok