Transistörler - FET, MOSFET - RF
MHT1004GNR3
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- OM-780-2G
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MHT1004GNR3
MHT1004GNR3 Hakkında
MHT1004GNR3, Rochester Electronics tarafından üretilen LDMOS RF Power Field-Effect Transistor'dür. 2.45GHz frekansında çalışan bu transistör, 280W çıkış gücü ve 15.2dB kazanç sağlayarak RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 65V nominal voltaj ve 32V test voltajında 100mA akım kapasitesi ile endüstriyel ve iletişim sistemlerinde yer alan RF şartlandırıcı devrelerde, kablosuz haberleşme vericileri, radar sistemleri ve ISM bant uygulamalarında tercih edilir. OM-780-2G paket standardı ile kompakt montaj imkanı sağlar. Ürün Discontinued statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 2.45GHz |
| Gain | 15.2dB |
| Package / Case | OM-780-2G |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 280W |
| Supplier Device Package | OM-780-2 Gull |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok