Transistörler - FET, MOSFET - RF
MHE1003NR3
RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- OM-780-2
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MHE1003
MHE1003NR3 Hakkında
MHE1003NR3, NXP Semiconductors tarafından üretilen RF Power LDMOS transistördür. 2.4GHz-2.5GHz frekans bandında çalışmak üzere tasarlanmış bu komponent, 53dBm çıkış gücü ve 14.1dB kazanç sunmaktadır. 65V nominal voltaj ve 28V test voltajında 50mA test akımı ile karakterize edilmiştir. OM-780-2 paket tipi ile sunulan bu transistör, ISM bandı uygulamaları, WiFi tabanlı sistemler ve endüstriyel RF haberleşme cihazlarında kullanılır. LDMOS teknolojisi sayesinde yüksek frekans ve güç uygulamalarında kararlı performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 50 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
| Gain | 14.1dB |
| Package / Case | OM-780-2 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 53dBm |
| Supplier Device Package | OM-780-2 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok