RF Diyotlar

MGS801A

COM SCHOTTKY-GAAS-CHIP-GC110

Paket/Kılıf
Die
Kategori
RF Diyotlar
Seri / Aile Numarası
MGS801A

MGS801A Hakkında

MGS801A, MACOM Technology Solutions tarafından üretilen yüksek frekanslı Schottky diyottur. GaAs (Galyum Arsenid) teknolojisine dayanan bu komponentin seri bağlı 1 çift diyot yapısı bulunmaktadır. 750V peak reverse voltage ve 50mA maksimum akım kapasitesi ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 0.075pF düşük kapasitans değeri ve 5Ohm nominal direnç özellikleri sayesinde yüksek frekanslı sinyallerin anahtarlanması, zener regülatörü ve RF dedektör devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışan bu diyot, Die paketinde sunulan chip formunda temin edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 0.075pF @ 0V, 1MHz
Current - Max 50 mA
Diode Type Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature -65°C ~ 150°C
Package / Case Die
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75 mW
Resistance @ If, F 5Ohm @ 5mA, 1MHz
Supplier Device Package Chip
Voltage - Peak Reverse (Max) 750V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok