Transistörler - IGBT - Tekil
MGD623N
IGBT 600V 50A 150W TO3P
- Üretici
- Sanken Electric Co., Ltd.
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- MGD623N
MGD623N Hakkında
MGD623N, Sanken Electric tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50A sürekli kollektor akımı ve 100A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 150W maksimum güç dağıtımı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmaya uygundur. 2.3V on-state voltajı (Vce) ve 300ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. Sürücü devrelerinde kullanıldığında 15V gate voltajı ile çalışır. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir. İnverter, motor kontrol ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 300 ns |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Td (on/off) @ 25°C | 75ns/300ns |
| Test Condition | 300V, 50A, 39Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok