RF Diyotlar
MG1021-M16
GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Stud
- Kategori
- RF Diyotlar
- Seri / Aile Numarası
- MG1021
MG1021-M16 Hakkında
MG1021-M16, Microchip Technology tarafından üretilen GAAS GUNN epitaksiyel yapılı PIN diyot olup, hermetic stud paketlemede sunulmaktadır. Maksimum 800 mA akım ve 50 mW güç tüketimi kapasitesine sahiptir. 4V pik ters voltaj sınırlaması ile RF uygulamalarında kullanılmaktadır. Gunn diyotlar özellikle microwave frekans uygulamalarında, osilatör devrelerinde ve RF sinyal işlemede yaygın olarak tercih edilir. Hermetic paketleme sayesinde yüksek güvenilirlik ve uzun ömür sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Max | 800 mA |
| Diode Type | PIN - Single |
| Package / Case | Stud |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50 mW |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 4V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok