RF Diyotlar
MG1020-M16
GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Stud
- Kategori
- RF Diyotlar
- Seri / Aile Numarası
- MG1020
MG1020-M16 Hakkında
MG1020-M16, Microchip Technology tarafından üretilen GaAs (Galyum Arsenit) tabanlı Gunn epitaksiyel diyottur. PIN tipi tek diyot konfigürasyonunda sunulan bu komponentin hermetic stud paketi, yüksek güvenilirlik gerektiren uygulamalarda kullanılmaya uygundur. 1.6 A maksimum akım, 5.5V pik ters gerilim ve 250 mW güç dağıtım kapasitesine sahiptir. RF ve mikrodalga uygulamalarında osilatör, amplifikatör ve switç yapıları için tasarlanmıştır. Stud paketi, mekanik montaj ve ısı yönetimi açısından endüstriyel ve askeri uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Max | 1.6 A |
| Diode Type | PIN - Single |
| Package / Case | Stud |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250 mW |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 5.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok