RF Diyotlar
MG1011-42
GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Stud
- Kategori
- RF Diyotlar
- Seri / Aile Numarası
- MG1011
MG1011-42 Hakkında
MG1011-42, Microchip Technology tarafından üretilen GaAs Gunn epitaksi tabanlı PIN diyottur. Hermetic stud kasa tipi ile sunulan bu RF diyodu, yüksek frekans uygulamalarında kullanılır. 1.2 A maksimum akım kapasitesi, 250 mW güç tüketimi ve 8V pik ters gerilim değeri ile belirtilir. Gunn diyotları, osilator ve amplifikatör devrelerinde, özellikle mikrodalga frekans uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. PIN diyot yapısı, RF anahtarlama ve attenüatör uygulamalarında da kullanım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Max | 1.2 A |
| Diode Type | PIN - Single |
| Package / Case | Stud |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250 mW |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 8V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok