RF Diyotlar
MG1009-M11
GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC PILL
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Stud
- Kategori
- RF Diyotlar
- Seri / Aile Numarası
- MG1009
MG1009-M11 Hakkında
MG1009-M11, Microchip Technology tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış bir GAAS Gunn diyodudur. Hermetic pill paketlemesi ile yüksek güvenilirlik ve stabilite sağlar. PIN (Positive Intrinsic Negative) diyot yapısı sayesinde RF anahtarlamada, attenüatörlerde ve modulatörlerde kullanılır. Maksimum 500 mA akım kapasitesi ve 50 mW güç dağılımı kapasitesi ile kompakt RF devrelerinde yer alır. 8V maksimum ters gerilim derecelendirmesi ile koruma sağlar. Stud paketlemesi, direkt lehimleme ve monte edilme kolaylığı sunar. Mikrodalga ve yüksek frekans uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Max | 500 mA |
| Diode Type | PIN - Single |
| Package / Case | Stud |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50 mW |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 8V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok