RF Diyotlar
MG1007-42
GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Stud
- Kategori
- RF Diyotlar
- Seri / Aile Numarası
- MG1007
MG1007-42 Hakkında
MG1007-42, Microchip Technology tarafından üretilen GaAs Gunn epitaxy PIN diyotudur. Hermetic stud paket içerisinde sunulan bu bileşen, RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 1.2 A akım, 250 mW güç tüketimi ve 10V ters voltaj desteği ile, yüksek frekans devrelerinde anahtarlama, modülasyon ve sinyal kontrolü işlevlerini gerçekleştirir. PIN diyot yapısı sayesinde geniş bant genişliğinde düşük kapasite ve hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Haberleşme sistemleri, radar, hassas ölçüm cihazları ve endüstriyel RF uygulamalarında kullanım alanı bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Max | 1.2 A |
| Diode Type | PIN - Single |
| Package / Case | Stud |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250 mW |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok