RF Diyotlar
MG1006-83B
GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- —
- Kategori
- RF Diyotlar
- Seri / Aile Numarası
- MG1006
MG1006-83B Hakkında
MG1006-83B, Microchip Technology tarafından üretilen GaAs Gunn epitaksiyel PIN diyotudur. Hermetic stud pakajında sunulan bu bileşen, RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılır. Maksimum 700 mA akım yeteneği ve 100 mW güç dissipasyonu özellikleriyle frekans çarpıcılar, osilatörler ve RF anahtarlama devrelerinde yer alır. 10V maksimum ters gerilim sınırlaması ile çalışan komponent, yüksek frekans haberleşme sistemleri, radar ve endüstriyel RF uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Max | 700 mA |
| Diode Type | PIN - Single |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100 mW |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok